|
НИИЭТ запатентовал инновационную топологию транзисторной структуры
АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин. «С учетом специфики работы СВЧ-схем, в новой конструкции транзисторного кристалла применена инновационная схема расположения балластирующих резисторов для стабилизации параметров и увеличения надежности выпускаемых транзисторов и аппаратуры в целом», – сказал он. Транзистор выпускается с приемкой ОТК под шифром «ПП9139Б1», а его стоимость составляет 22362.4 рублей без НДС. Заказать транзистор можно на официальном сайте АО «НИИЭТ» в разделе «Транзисторы серии «ПП». Изделие имеет следующие технические характеристики:
Модернизированные транзисторы находят применение в широкополосных радиостанциях, высокоскоростных системах передачи данных и других радиосистемах в L- и S- диапазонах частот. Источник: https://niiet.ru/ |
пн - пт: с 10-00 до 18-00 заказать обратный звонок |
Способы оплаты © РадиоТехИндустрия 2006 — 2024 г. 123308, г. Москва, проспект Маршала Жукова, 2 Разработка интернет магазина - Студия Триас
Политика конфиденциальности |